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采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）上分别制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜。通过X射线衍射仪（xRD）、扫描电镜（SEM）对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析，并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明，相同工艺条件下，石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13．3Ω，可见光透过率为91％；PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω，可见光透过率为85％。二者相比，石英基底上ITO薄膜的光