退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb（Zr（0.4）,Ti（0.6））O3铁电电容器结构和性能影响的研究

• 作 者: 郭颖楠 刘保亭 赵敬伟 王宽冒 王玉强 孙杰 陈剑辉
• 机 构: 河北大学物理科学与技术学院,河北大学电子信息工程学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2010年1期
• 关键词: 退火工艺 PZT 磁控溅射法 溶胶-凝胶法 annealing conditions PZT magnetron sputtering sol-gel meth

应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb（Zr0.4,Ti0.6）O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si（LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si）异质结,研究了550℃常规退火（CTA）和快速退火（RTA）工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响。实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6min的样品具有较好的物理性能。在418kV/cm的外加电场下