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在短程球形势阱的模型下，运用线性变分法并采用B-样条作为展开基函数计算了内陷于C60几何中心的氢原子能谱和波函数，并计算了势阱深度对能谱的影响，详细讨论了内陷氢原子表现出的一系列特殊性质，从而对低维半导体材料性能的研究提供了有效的数据；同时这一工作也表明，用线性变分法结合B-样条函数在处理这类问题时是非常有效的。