【摘 要】
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由极性半导体ＧａＡｓ，ＧａＰ 等和非极性半导体Ｇｅ，Ｓｉ等构成的异质结构，为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会，同时也为基础物理研究提出了新的课题．本文简要介绍极性／非极性半导体异质结
【机 构】
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复旦大学表面物理实验室,复旦大学表面物理实验室,复旦大学表面物理实验室
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由极性半导体ＧａＡｓ，ＧａＰ 等和非极性半导体Ｇｅ，Ｓｉ等构成的异质结构，为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会，同时也为基础物理研究提出了新的课题．本文简要介绍极性／非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状．
The heterostructures composed of polar semiconductors GaAs, GaP, etc. and non-polar semiconductors Ge, Si, etc. provide new opportunities for the development of high-speed integration and optoelectronic integration technologies, and also put forward new topics for fundamental physics research. This article briefly introduces some basic issues in the preparation and characterization of polar / non-polar semiconductor heterostructures and their current developments in device applications.
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