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,Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/G
【机 构】
:
National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit(ASIC), Hebei Semiconductor Resear
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2015年8期
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