【摘 要】
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目的应用波长1320nm的半导体激光照射根管内壁,观察其扫描电镜图像改变。方法取6颗新鲜离体上颌中切牙,随机分成A、B、C三组:A组常规根管预备加单模光纤连续波半导体激光照射
【机 构】
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浙江省第二中医院天目山路门诊部口腔科
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目的应用波长1320nm的半导体激光照射根管内壁,观察其扫描电镜图像改变。方法取6颗新鲜离体上颌中切牙,随机分成A、B、C三组:A组常规根管预备加单模光纤连续波半导体激光照射5分钟;B组常规根管预备加连续波激光照射两次,每次5分钟,间隔30分钟;C组为常规根管预备对照组。三组牙齿标本均进行扫描电镜观察。结果 A组部分管间牙本质熔融,呈均质状结构,玷污层大部分消失,管壁散在附着少量白色结晶样物质,牙本质小管大部分封闭。B组牙本质小管全部封闭,管壁平坦,管间牙本质熔融,呈均质状结构,玷污层消失,管壁干净无碎屑
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