【摘 要】
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基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式.基于
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基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式.基于90和65nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.
Based on the nanoscale CMOS technology and considering the capacitive coupling and the inductive coupling effects, a distributed RLC coupled interconnection analysis model is proposed.With the function approximation theory and the reduced-order technique, the far-end Numerical expressions Based on the 90 and 65nm CMOS process, the distributed RLC crosstalk analysis model and Hspice simulation results under different interconnect coupling dimensions are compared, the absolute error is within 4%, and can be applied to nano-scale system-on-chip (SOC) electronic design automation (EDA) design and integrated circuit optimization design.
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