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讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），探讨了确定自由飞行时间的自散射方法，并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ），漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。
适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法
【摘 要】
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讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），探讨了确定自由飞行时间的自散射方法，并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ），漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。
【机 构】
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东南大学微电子中心,210096
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年3期
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