超宽频带VHF频段CMOS LC VCO

• 作 者: 宁彦卿 王志华 陈弘毅
• 机 构: 清华大学微电子学研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年1期
• 关键词: 宽带 压控振荡器 CMOS wideband VCO CMOS
• 基金项目: 国家自然科学基金（批准号：60372021,60475018）和国家重点基础研究发展规划（批准号,G2000036508）资助项目

实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO．其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段．这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化．该VCO使用标准0-18pmCMOS工艺制作，核心版图面积约为550μm×700μm．测试结果表明：该VCO频率覆盖范围为31～111MHz；功耗为0．3～6．9mW；在100kHz频偏处相位噪声约-110dBc／Hz．