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介绍了近年来迅速发展的8～12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态。预计在90年代它们将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关注与重视。
8—12μm量子阱超晶格红外探测器材料与器件
【摘 要】
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介绍了近年来迅速发展的8～12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态
【机 构】
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华北光电研究所北京
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1991年5期
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