化学共沉淀法制备镧掺杂纳米二氧化锡的研究

• 作 者: 杨敏鸽 王俊勃 陈立成 丁秉钧
• 机 构: 西安工程科技学院,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
• 出 处: 现代化工
• 发表日期: 2006年z1期
• 关键词: 纳米二氧化锡 镧 氢氧化锡 化学共沉淀 nanosized tin dioxideLaSn(OH)_4chemical co-precipitation

以SNCl4和La2O3为原料,采用化学共沉淀法制备掺杂La的纳米SnO2,并对其物相和粒度进行了分析.结果发现采用化学共沉淀法制备La掺杂SnO2粉末,焙烧温度在400～650℃时,其晶体结构保持SnO2的四方结构;750℃以上焙烧,得到La2Sn2O7和SnO2两相结构.La元素的掺杂明显抑制SnO2晶粒的长大,并且随含量的增加抑制SnO2长大的效果更明显.同时掺杂La元素使纳米SnO2晶粒的形成与长大对保温时间不敏感,在550℃焙烧1 h与8 h晶粒大小只相差1 nm左右.