【摘 要】
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对微波功率LDMOS 器件进行测试,提出一种新的非线性模型,通过小信号参数提取,建立LDMOS 的小信号模型,对多偏置下本征电容的提取,建立LDMOS 本征电容的非线性模型,加入LDMOS
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对微波功率LDMOS 器件进行测试,提出一种新的非线性模型,通过小信号参数提取,建立LDMOS 的小信号模型,对多偏置下本征电容的提取,建立LDMOS 本征电容的非线性模型,加入LDMOS 的直流IV 模型并以此为基础确立了微波功率LDMOS 的大信号模型,经过此模型的LoadPull 仿真及芯片测试对比,表明了该模型可以较准确地模拟LDMOS 的微波特性.采用该模型设计了一种功率管放大器,通过最终测试与仿真结果对比,证明了该模型的实用性.
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