【摘 要】
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在硅表面沉积制备致密的氧化硅薄膜可获得极佳的表面钝化质量，然而氧化硅薄膜的常规制备方法常需要较长的工艺时间和较高的工艺成本，限制了其在太阳电池上的应用。本文拟采用臭氧氧化配合较短时间的热退火工艺对多晶硅太阳电池进行处理，实现多晶硅片表面的氧化硅薄膜制备，通过此过程改善多晶硅太阳电池的电学性能。使用该工艺方法在多晶硅片表面生成薄层氧化硅，并借助等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积的叠层氮化硅
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（No.2014AA052101）； 南昌航空大学博士科研启动金（No.EA202108184）；
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在硅表面沉积制备致密的氧化硅薄膜可获得极佳的表面钝化质量，然而氧化硅薄膜的常规制备方法常需要较长的工艺时间和较高的工艺成本，限制了其在太阳电池上的应用。本文拟采用臭氧氧化配合较短时间的热退火工艺对多晶硅太阳电池进行处理，实现多晶硅片表面的氧化硅薄膜制备，通过此过程改善多晶硅太阳电池的电学性能。使用该工艺方法在多晶硅片表面生成薄层氧化硅，并借助等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积的叠层氮化硅可显著提升多晶硅太阳电池正表面的钝化质量。实验对比发现，随着退火时间的延长，多晶硅片少子寿命的上升幅度增大，电池的电学性能随之提升。实验确定了最适宜的退火处理工艺，通过该臭氧氧化退火工艺，可获得超0.5%的多晶硅太阳电池效率绝对值增益。
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