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采用纳米二氧化硅（SiO2）作为硅源，以蔗糖（C12H22O11）炭化做碳源并包裹纳米二氧化硅颗粒，在高温真空炉中合成出尺寸均匀直径在15～30nm、长度在微米级的β型碳化硅（SiC）纳米线。运用X射线衍射技术、透射电子显微测量等对碳化硅纳米线进行了检测表征。对合成工艺进行优化，研究结果表明：采用这种方法合成SiC纳米线的最佳温度范围在1300-1340℃，反应时间为20-40min。