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研究了Ｐ－Ｓｉ上铜镍由其硫酸盐中的电沉积过程。不同的半导体表面预处理条件对沉积电流有非常显著的影响；确定了制备选择性铜镍镀层的实验条件；利用能级图分析了沉积的价带过程和导带过程。
铜镍在P—Si上的激光辅助电沉积
【摘 要】
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研究了Ｐ－Ｓｉ上铜镍由其硫酸盐中的电沉积过程。不同的半导体表面预处理条件对沉积电流有非常显著的影响；确定了制备选择性铜镍镀层的实验条件；利用能级图分析了沉积的价带过程和导带
【出 处】
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河北师范学院学报：自然科学版
【发表日期】
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1995年2期
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