【摘 要】
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研究了ＳｉＯ２掺杂对ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的影响。实验结果表明，ＳｉＯ２可以十分显著地影响ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为０．０５％￣０．４０％（摩尔分数）时，材料密度在６．２１￣６．５６ｇ／ｃｍ＾３之间变动，非线性系数在７．４２￣１２．８０之间。烧失率、势垒电压和非
【机 构】
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山东省科学院能源研究所,山东大学物理系
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研究了ＳｉＯ２掺杂对ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的影响。实验结果表明，ＳｉＯ２可以十分显著地影响ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为０．０５％￣０．４０％（摩尔分数）时，材料密度在６．２１￣６．５６ｇ／ｃｍ＾３之间变动，非线性系数在７．４２￣１２．８０之间。烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明：掺有ｘ（ＳｉＯ２）＝０．２％的ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏陶
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