1.54μm被动Q开关U:CaF2晶体光谱性能的研究

• 作 者: 苏良碧 徐军 董永军 杨卫桥 周国清 赵志伟
• 机 构: 中国科学院上海光学精密机械研究所
• 出 处: 中国激光
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 人工晶体 U:CaF2晶体 导向温度梯度法 分凝系数 吸收光谱

以硝酸铀、氟化钙和氟化铅为原料,采用导向温度梯度法(TGT)成功地生长了可用作1.54μm被动Q开关的U:CaF2晶体.通过ICP-MS测量晶体中不同部位U的含量,测得U在CaF2中的分凝系数等于0.53.通过改变原料配比生长了多种价态的U:CaF2晶体.结果表明PbF2可以调节U的价态:无PbF2的条件下生长的晶体为U4+:CaF2;加入PbF2生长的晶体主体上是U3+:CaF2,靠近石墨坩埚的晶体外层被进一步还原为U2+:CaF2.