CeO2掺杂KNN-LiNbO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究

• 作 者: 李震宇 甘国友 徐腾威 郭根生 杜景红 张家敏 严继康 易健
• 机 构: 昆明理工大学材料科学与工程学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2017年9期
• 关键词: 铌酸钾钠 掺杂改性 无铅压电陶瓷 烧结助剂 potassium sodium niobate doping modification lead-free p
• 基金项目: 国家自然科学基金（51262017）, 稀贵金属先进材料协同创新基金（14051708）, 稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室开放基金（SKL-SPM-201502）

采用传统固相烧结法制备了0. 98K（0. 5）Na（0. 5）NbO3-0. 02 Li NbO3-x CeO2（0.98KNN-0.02LN＋x CeO2）无铅压电陶瓷。研究了不同CeO2掺杂含量（x=0、0.01、0.02、0.03、0.04）对0.98KNN-0.02LN陶瓷显微结构和电学性能的影响。研究结果表明：当CeO2掺杂含量从x=0.00到x=0.01和从x=0.02到x=0.03时,样品出现了正交-四方相转变。当x=0.00和x=0.02时,样品都处于正交与四方两相共存状态。CeO2少量