【摘 要】
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报导了用ZnSe晶体进行电致发光研究的最新结果。研究中采用外延技术并以石墨作势垒接触,有效地降低电致发光阈值电压到0.8—1.6伏,3伏10毫安下可得到明亮的橙色、黄色发光。
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报导了用ZnSe晶体进行电致发光研究的最新结果。研究中采用外延技术并以石墨作势垒接触,有效地降低电致发光阈值电压到0.8—1.6伏,3伏10毫安下可得到明亮的橙色、黄色发光。给出了有关的实验现象和测量结果,并对发光机理进行了讨论。文中还给出了用ZnSe制作数码管的初步结果。
The latest results of electroluminescence studies with ZnSe crystals are reported. In the study, epitaxial techniques were used to make barrier contact with graphite to effectively reduce the electroluminescence threshold voltage to 0.8-1.6 V and to obtain a bright orange and yellow emission at 3 V and 10 mA. Relevant experimental phenomena and measurement results are given, and the luminescence mechanism is discussed. The article also gives the preliminary results of using digital tube made of ZnSe.
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