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利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发柬流下制备了TiO2薄膜，利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率；利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响，发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性；最后利用XPS（X射线能谱）和FI—IR（傅立叶红外吸收）相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析，发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层，其成分是低价态的TiO2（x〈2）和SiOy（y〈2）．