MOVPE生长Siδ掺杂GaAs／Al0.3Ga0.7As异质结构及其霍耳测量

来源 :浙江大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：annhongmay

【摘要】

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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２，均比相同结构的生长体掺

【作者】

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董争 Li G

【机构】

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浙江大学材料系,澳大利亚国立大学电子材料工程系

【出处】

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浙江大学学报：自然科学版

【发表日期】

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1998年6期

【关键词】

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霍耳测试 MOVPE 砷化镓异质结构铝镓砷化合物 hall effect callium arsenide silicon δdoping heteros

【基金项目】

：

国家教委博士点基金

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使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２，均比相同结构的生长体掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构样品有很大提高，证实了使用δ掺杂技术取代体掺杂技术可以获得电学性能更佳的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结构．

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