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利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-43dB。
X-波段MEMS单刀双掷开关的研究
【摘 要】
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利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插
【机 构】
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东南大学MEMS教育部重点实验室,南京电子器件研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2006年01期
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