【摘 要】
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本文导出了窄沟MOS场效应晶体管阀值电压的简单闭式解析式。窄沟模型给出阀值电压与栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度、背面栅偏压和沟道宽度的关系式。把理论计算的结果与实验结
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本文导出了窄沟MOS场效应晶体管阀值电压的简单闭式解析式。窄沟模型给出阀值电压与栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度、背面栅偏压和沟道宽度的关系式。把理论计算的结果与实验结果进行了比较,二者非常接近。
This paper derives a simple, closed-form solution to the threshold voltage of a narrow-trench MOS field-effect transistor. The groove model gives the relationship between the threshold voltage and gate oxide thickness, channel doping concentration, back gate bias and channel width. The results of theoretical calculations and experimental results were compared, the two are very close.
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