【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响.透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,
【机 构】
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重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆市光电功能材料重点实验室,重庆大学物理学院
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采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响.透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,都在80％以上,且随着Cd掺杂浓度的增加,薄膜的禁带宽度在3.253～3.148 eV范围内减小.霍尔测试表明,Cd掺杂增强了薄膜的导电性,当Cd掺杂浓度为0 at.％、2 at.％和4 at.％时,薄膜的电阻率分别为(2.68×10-1)、(1.30×10-1)和(6.83×10-2)Ω·cm.结合理论计算和光致发光谱分析认为,Cd掺入后ZnO的导带明显下移,这不仅导致ZnO∶(In,Cd)薄膜的带隙变窄,同时使施主杂质(Zni和InZn等)的电离能减小,从而增强了薄膜的导电性能.
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