【摘 要】
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研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响.分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
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研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响.分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化.发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变.并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响.结果 表明,在滴蜡时间为2.3s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6s、高速旋转速度为3 000 r/min、高速旋转时间为7s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm.
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