【摘 要】
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本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材料源为Cd、Te和作为Hg源的HgTe。Cd/Te通量比
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本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材料源为Cd、Te和作为Hg源的HgTe。Cd/Te通量比率决定x值,即合金的组分。不同x值(由0～0.35)和厚度(达6微米)的层为具有条纹绕射花纹的单晶。其表面光亮清洁。
This paper reports for the first time molecular beam epitaxy (MBE) of Cd-xHg_ (1-x) Te, a group II-VI semiconductor compound. The epitaxy was done at 100 ° C on the surface of MBE (111) CdTe. The three material sources used are Cd, Te and HgTe as Hg source. The Cd / Te flux ratio determines the value of x, ie, the composition of the alloy. Layers with different values of x (from 0 to 0.35) and thicknesses (up to 6 microns) are single crystals with striped diffraction patterns. Its surface is bright and clean.
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