磁控溅射制备柔性衬底ZnO：Ga透明导电膜微结构及性能研究

• 作 者: 李素敏 赵玉涛 张钊
• 机 构: 江苏大学材料科学与工程学院
• 出 处: 太阳能学报
• 发表日期: 2007年11期
• 关键词: 光电特性 柔性衬底 磁控溅射 结构 ZnO:Ga膜 electrical and optical properties flexible substrate m
• 基金项目: 江苏大学高级人才科研启动基金项目（04JDG023）,江苏省铝基复合材料工程技术研究中心研发项目（BM2003014）

室温条件下，采用磁控溅射法在有机柔性衬底聚酰亚胺（PI）表面制备出ZnO：Ga透明导电膜，XRD表明ZnO：Ga薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。研究了溅射功率、氩气分压、溅射时间及衬底负偏压等溅射工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响，得出最佳溅射参数分别为：功率100W，氩气分压0．1Pa，溅射时间60min，衬底负偏压40V。结果表明：磁控溅射制备的ZnO：Ga膜附着性良好，电阻率为9．4×10^-4Ω·cm，可见光透过率为78％。