全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究

• 作 者: 代艳南 杨帅 沈阳 单永奎 杨帆 赵庆彪
• 机 构: 华东师范大学化学与分子工程学院,华东师范大学光信息科学与工程系
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2019年11期
• 关键词: 固相合成 荧光 钨酸盐 稀土 内量子效率 solid state synthesis photoluminescence tungstate rare eart
• 基金项目: The Startup Funding of East China Normal University(11200-120215-10363)

黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用。在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb^3+/Eu^3+或Tb^3+/Sm^3+,从而获得较强的黄光发射。由于Gd^3+的有效激发通常在深紫外区,在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发,因此Gd^3+对Tb^3+/Eu^3+、Tb^3+/Sm^3+共掺杂的黄光发射并无影响。而Tb^3+与Gd^3+具有相似的离子半径, Tb3+在全浓度范围内可以对Gd^3+进行取代。当Tb^3+离子掺杂浓度为75