脉冲激光烧蚀过程中阻尼系数的角度分布

• 作 者: 王英龙 翟小林 丁学成 王世俊 梁伟华 邓泽超 褚立志 傅广
• 机 构: 河北大学物理科学与技术学院
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2011年B11期
• 关键词: 纳米SI晶粒 脉冲激光烧蚀 平均尺寸 阻尼系数 Si nanoparticles pulsed-laser ablation average size d
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划（973计划）前期研究专项资助项目（2011CB612305）, 国家自然科学基金资助项目（10774036）, 河北省自然科学基金资助项目（E2008000631）

采用脉冲激光烧蚀（PLA）技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅（Si）晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变化关系。使用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和拉曼光谱仪（Raman）对其表面形貌和结构进行了表征。结果表明,在压强一定的情况下,纳米Si晶粒的尺寸和阻尼系数均相对于轴向呈对称分布,并随着偏离轴向角度的增加而减小;同时随着压强增大,晶粒尺寸和阻尼系数在各个角度处的值均增大。