【摘 要】
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采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si (100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30 nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(
【机 构】
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西南石油大学理学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si (100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30 nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的室温光致发光(PL)谱中出现了3个带边激子发射峰:373 nm,375 nm,389 nm.运用激子理论推算出掺AlZnO纳米线的禁带宽度为3.343 eV ,束缚激子结合能为0.156 eV;纯ZnO纳米线阵列PL谱中3个带边激子发射峰为377 nm,379 nm,389 nm.其禁带宽度为3.301 eV ,束缚激子结合能为0.113 eV.通过比较发现掺Al增大了ZnO纳米线的禁带宽度.
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