【摘 要】
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用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS∶Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS∶Ag薄膜出现了新物相Ag8SnS6,结晶
【机 构】
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福州大学食品安全分析与检测教育部重点实验室,福州大学物理与信息工程学院,
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用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS∶Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS∶Ag薄膜出现了新物相Ag8SnS6,结晶度好,颗粒度大.用光电流测试研究了其导电性能,表明SnS∶Ag薄膜是p型半导体材料.霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大,电阻率降低.
SnS:Ag films were prepared on ITO glass substrates by pulse electrodeposition.The phase structures and surface morphology of the films were observed by X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). The results show that the SnS:Ag films appear The new phase Ag8SnS6 has good crystallinity and large particle size, and its electrical conductivity has been studied by photocurrent test, indicating that the SnS:Ag thin film is a p-type semiconductor material. The Hall measurements show that the carrier concentration increases after the doping and the resistance Lower rates.
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