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用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶ Ａｒ＾＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）浅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符合较好。
AlxSn100—x合金系统的Ar^＋溅射研究
【摘 要】
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用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶ Ａｒ＾＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）浅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符
【机 构】
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中国科学院上海原子核研究所,杭州大学
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1994年7期
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