Electrical Properties of Sputter-deposited ZrO2-based Pt/ZrO2/Si Capacitors

• 作 者: Keunbin YIM Yeonkyu PARK Anna
• 机 构: DepartmentofMaterialsScienceandEngineering
• 出 处: 材料科学技术学报：英文版
• 发表日期: 2006年6期
• 关键词: Pt/ZrO2/Si电容器 射频磁控管溅射法 栅极介质 电气性质 氧化锆 铂 硅 ZrO2 Gate dielectrics Radio frequency

在 ZrO_2 被无线电扔的地方， Pt/ZrO_2/Si 三明治组织频率( r.f )磁控管在 O_2/Ar 煤气的混合的气氛用一个 Zr 目标劈啪作响，被制作， O_2/Ar 的效果流动在反应劈啪作响过程的比率，退火的温度，结构上的 ZrO_2 电影厚度， ZrO_2films 的表面粗糙和 Pt/ZrO_2/Si metal-oxide-semiconductor (瞬间)的电的性质电容器我们 reinvestigated 。 Pt/ZrO_2/Si 电容器的最佳进程参数以电容被最大化的如此的一个