Smart SIPMOS功率开关:用硅代替散热片

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耗能且需要降温的半导体电力开关已过时.使用低阻“垂直”Smart SIPMOS 开关,设计者可以按需要降低功耗.由于硅工艺和封装技术的发展,扁平PDSO封装Smart SIPMOS四路高端开关可以替代在带有散热片的TO-220封装中的四个分立开关,后者是隔热结构,装配起来比较复杂.而且,自我诊断功能和短路保护功能都内置在前者中.系统成本的降低是半导体行业“由硅代替散热片”策略所带来的主要好处.
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蔡霞,中共中央党校党建教研部教授,博士;北京市党建研究会特邀研究员;国家教育部干部教育学院客座教授;中央政府驻香港特别行政区联络办公室人事部客座教授。1986年,开始从事