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IBM在近日于美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会上发表了新型绝缘体，该种材料有2种型态——氮碳化硅硼（SiBCN）以及氮碳氧化硅（SiOCN），号称2者都能让芯片性能与良率有所提升。
IBM发表新型绝缘体助力先进制程芯片良率
【摘 要】
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IBM在近日于美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会上发表了新型绝缘体，该种材料有2种型态——氮碳化硅硼（SiBCN）以及氮碳氧化硅（SiOCN），号称2者都能让芯片性能与良率有所提
【出 处】
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新材料产业
【发表日期】
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2017年5期
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