【摘 要】
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Y2O3-Gd2O3-HfO2难熔稀土氧化物直热式阴极具有制备工艺简单,热发射电流密度大,次级电子发射系数大,寿命长等优点,在大功率连续波磁控管中具有很好的应用潜力。为进一步提高Y
【机 构】
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中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室; 中国科学院大学;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(批准号:61771454)
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Y2O3-Gd2O3-HfO2难熔稀土氧化物直热式阴极具有制备工艺简单,热发射电流密度大,次级电子发射系数大,寿命长等优点,在大功率连续波磁控管中具有很好的应用潜力。为进一步提高Y2O3-Gd2O3-HfO2阴极的热发射性能,本文对该阴极的发射物质进行了不同比例Sc2O3的掺杂,结果表明,Sc2O3的掺杂能有效提高Y2O3-Gd2O3-HfO2阴极的热发射电流密度,其中,掺杂10%（质量比）Sc2O3的Y2O3-Gd2O3-HfO2阴极热发射电流密度在1500℃下达到5.3 A/cm2,比未掺杂时提升了35.5%。由于在阴极激活过程中Sc2O3与Y2O3形成了固溶体,合成氧化物中Sc得到电子并释放出游离Sc,增强了涂层的导电性,所以,Sc2O3掺杂Y2O3-Gd2O3-HfO2难熔稀土氧化物直热式阴极热发射性能具有显著提高。
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