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室温下在ｐ－Ｓｉ（１００）上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ测量表明了ＺｎＯ是高度ｃ轴单一取向生长的，ＸＲＣ测量则表明了ＺｎＯ的高质量在室温下的ＰＬ测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。
在p—Si（100）上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
【摘 要】
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室温下在ｐ－Ｓｉ（１００）上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ测量表明了ＺｎＯ是高度ｃ轴单一取向生长的，ＸＲＣ测量则表明了ＺｎＯ的高质量在室温下的ＰＬ测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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863计划资助项目!( 863- 715- 0 0 1- 0 162 )
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