绝缘栅场效应管的机理研究

来源 :三峡大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:nihaochaochao
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结型场效应管虽然栅源电阻高达100兆欧以上,但有时还嫌不够高,而且在高温工作时,阻值会有显著下降。另外从制造工艺方面来看,高度集成化困难。因此就常用绝缘栅场效应管。它的导电机构与结型场效应管不同。结型是利用导电沟道两侧的耗尽区的变化来控制漏极电流;而绝缘栅型则是利用感应电荷的多少来改变导电沟道的导电性能,达到控制漏极电流的目的。 Although the junction field effect transistor gate resistance of up to 100 megohms or more, but sometimes not too high enough, and work at high temperatures, the resistance will be significantly decreased. In addition, from the manufacturing process point of view, a high degree of integration difficulties. Therefore commonly used insulated gate FET. Its conductive mechanism and the junction field effect tube different. Junction is the use of conductive channels on both sides of the depletion region changes to control the drain current; and insulated gate is the use of the amount of induced charge to change the conductivity of the conductive channel to achieve the purpose of controlling the drain current.
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