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本文把Ｂｕｔｃｈｅｒ等提出的计算ＧａＡｓ异质结热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张的屏蔽声曳贡献和扩散贡献，采用了重核实的硅反型层二维电子密度数据，并用电阻张量的实验值取代有较大误差的解析公式。计算结果远优于前人的结果，，在振荡位相和幅度两方面都与Ｏｘｌｅｙ等提供的Ｔ＝５．０２０Ｋ下的最新实验数据定性相符。