【摘 要】
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2008年武汉大学加速器联机系统初步建成,200 kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室,Texas Center for Superconductivity,Quantum-Functional Semiconductor Research Cen
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2008年武汉大学加速器联机系统初步建成,200 kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结构研究.结果表明,样品在注入至一定剂量时发生明显多晶和非晶化,单晶Si出现非晶化的临界剂量在1014 cm-2.C276材料经1×1015 cm-2的Ar离子辐照后,产生尺寸3-12 nm的位错环,其密度随剂量提高而增大,至5×1015 cm-2出现多晶,剂量超过3×1016 cm-2出现非晶化.在加速器-电镜联机光路上安装在线RBS靶室对离子束辐照材料进行元素成分和晶格定位测试.靠近电镜端安装50 kV低能离子源,开展核材料中氦泡形成过程的原位观测.对RBS/C装置进行数字化改造,用Labview控制系统运行,目前可进行计算机控制的背散射沟道测试.
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