X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响

来源 :吉林大学学报：理学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zzp90518

【摘要】

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用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al／Au-Si，Kovar／Au-Si，Au／Al-Si和Au／Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数，并进行比较．结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小

【作者】

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周银行马玉刚刘少林孙亮赵广义马纯辉

【机构】

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吉林大学物理学院,吉林大学电子科学与工程学院

【出处】

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吉林大学学报：理学版

【发表日期】

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2006年4期

【关键词】

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MONTE CARLO方法 X射线封装材料剂量增强系数 Monte Carlo method X-ray package material dose

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用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al／Au-Si，Kovar／Au-Si，Au／Al-Si和Au／Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数，并进行比较．结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小，并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围．

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