【摘 要】
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采用有机金属化学气相沉积技术在Si（111）衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管（LED）结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比较了超晶格厚度对LED光电性能的
【机 构】
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南昌大学,南昌大学材料科学与工程学院
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采用有机金属化学气相沉积技术在Si（111）衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管（LED）结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响.结果显示：随超晶格厚度增加,样品的反向漏电流加剧;300 K下电致发光仪测得随着电流增加,LED发光光谱峰值的蓝移量随超晶格厚度增加而减少,但不同超晶格厚度的两个样品在300 K下的电致发光强度几乎无差异.结合高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品的位错密度和V形坑特征分析,明确了两样品反向漏电
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