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在分析半导体激光器(LD)温度特性的基础上,研究实施温度补偿的原理和实现方案,并给出电路核心部分的一种新颖结构.该电路采用0.35μm,BiCMOS工艺实现.该电路感应LD温度变化,通过设置外部电阻取值对输出调制电流的幅度、补偿温度起点以及补偿力度进行调节,从而满足LD特性随温度变化的要求,并具有良好的兼容能力.后端仿真结果显示3.3V工作电压下该电路温度补偿范围为20~75℃,最大补偿力度可达4.3dB,输出调制电流幅度为5~85mA,完全满足设计要求,已经应用于622M/1.25Gbit/s光纤通信系