【摘 要】
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为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器。利用SEM、XRD
【机 构】
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西安工业大学材料与化工学院,西北工业大学凝固技术国家重点实验室,
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为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以241Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。
In order to improve the directional growth of HgI2 crystal, the HgI2 epitaxial substrate was precipitated on the ITO conductive glass from DSMO-HgI2-H2O solution, then the HgI2 polycrystalline thin film was vapor-deposited on the epitaxial substrate and the corresponding detector was prepared. The directional growth characteristics of the films were analyzed by SEM and XRD. The detection efficiency of the detectors was tested at room temperature using 241Am as a radiation source.
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