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用基于密度泛函理论的第一性原理结合广义梯度近似研究了高压下盐岩相InN的电子结构和光学性质．计算得到的晶格常数与实验值非常吻合，并发现Г和X的带隙随压力增加而增大，而带隙存L点却并不明显．计算出Г点的带隙的压力系数是44meV／GPa．讨论计算得到的InN的光学性质，结合能带结构和电子态密度．
压力对岩盐相InN电子结构和光学性质的影响
【摘 要】
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用基于密度泛函理论的第一性原理结合广义梯度近似研究了高压下盐岩相InN的电子结构和光学性质．计算得到的晶格常数与实验值非常吻合，并发现Г和X的带隙随压力增加而增大，而带隙
【机 构】
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武汉纺织大学理学院,西南民族大学信息材料重点实验室,四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室
【出 处】
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化学物理学报
【发表日期】
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2010年3期
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