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为减少通常锗硅混晶太阳电池的异质界面复合及窄能隙引入的体内复合增强，提出了一种新型结构锗硅混晶太阳电池模型。对反映电池内光生少子运动的参数及物理过程及物理过程分析后得出该模型少子连续方程，计算结果表明，该电池模型，在优化条件下即能减少高浓度锗导致的复合增强，又能拓宽长波光谱响应。计算预测的最佳转换效率为17．2％。