【摘 要】
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AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了空气桥之后在高功率下工作时频率响应会进一
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AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了空气桥之后在高功率下工作时频率响应会进一步退化。UCLA、JPL和Epitronics报道了在半绝缘4H-SiC衬底上生长的非掺杂沟道Al0.30Ga0.70N/GaNHFET,器
AlGaN-based HFETs have shown great potential for high power microwave applications. The problem including the frequency response has been solved. The frequency response is limited by carrier mobility and gate length, and the frequency response degrades further when operating at high power after the air bridge is made. UCLA, JPL, and Epitronics reported that undoped channel Al0.30Ga0.70N / GaNHFETs grown on semi-insulating 4H-SiC substrates,
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