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报道了采用等离子体辅助分子束外延方法（P-MBE），利用NO作为N源和O源，在c-面蓝宝石（c—Al2O3）衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱（XRD）和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性，X射线光电子谱（XPS）中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应（Hall-effect）测量中，发现该样品并没有出现预期的p型导电特性，而是出现载流子浓度很高（2．15×10^20cm^-3）的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析，认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子，补偿了全部的