【摘 要】
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采用 Ｘ 射线光电子谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 分析３００ ～５００‘ Ｃ 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点， 研究 Ｂ、 Ｃ、 Ｎ 对薄膜的 Ｘ Ｐ Ｓ影响结果表明， Ｘ Ｐ Ｓ分析
【机 构】
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采用 Ｘ 射线光电子谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 分析３００ ～５００‘ Ｃ 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜利用合成薄膜成分可控的特点， 研究 Ｂ、 Ｃ、 Ｎ 对薄膜的 Ｘ Ｐ Ｓ影响结果表明， Ｘ Ｐ Ｓ分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成， 但不能确定ｓｐ２ 和ｓｐ３ 型键合结构特性； Ｘ Ｐ Ｓ 分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性在较高的工艺温度下， 等离子体源离子渗氮合成的硼碳氮薄膜具有ｓｐ２ 和ｓｐ３ 型复合的键合结构
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to analyze the boron nitride and boron carbonitride films synthesized from plasma nitrided boron and boron carbide films at 300-500¡æ. The influence of C, N on the XPS of the film The results show that XPS analysis of the chemical composition of boron nitride film can determine its chemical composition, but the sp2 and sp3 bonding properties can not be determined. Determine its composition and structural characteristics At higher process temperatures, boron nitride thin films prepared by plasma ion nitriding have sp2 and sp3-type bonding structure
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