在SOI硅片上制造磁敏差分电路

• 作 者: 许言 刘兆东
• 机 构: 黑龙江省电子信息产品监督检验院
• 出 处: 信息技术
• 发表日期: 2007年1期
• 关键词: SOI 磁敏三极管 MEMS 各向异性腐蚀 SOI magnetic sensitivity transistor MEMS anisotropic etchi

阐述基于SOI硅片制造新型P^＋-I-N^＋双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。构成新型P^＋-I-N^＋双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术和喷砂工艺进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明,此种三极管具有磁灵敏度高和可靠性高的特点。因此由这种新型磁敏三极管构成的差分电路还具有温漂小的优点。